Характеристики Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE)
Характеристики
CL
16
Количество модулей в комплекте
1 шт.
Напряжение питания
1.2 В
Пропускная способность
PC25600 Мб/с
Тактовая частота
3200 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Объем одного модуля
8 Гб
Точные характеристики "Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE)", для сравнения характеристик с другими моделями нажмите кнопку "Сравнить".
Отзывы о Память оперативная Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 (M471A1G44CB0-CWE)
Написать отзыв